SI2309CDS-T1-GE3 Tranzystor P-MOSFET x1szt
Opis
Producent = VISHAY; Montaż = SMD; Obudowa = SOT23; Napięcie dren-źródło = -60V; Napięcie bramka-źródło = ±20V; Prąd drenu = -1,3A; Rezystancja w stanie przewodzenia = 450m?; Typ tranzystora = P-MOSFET; Moc rozpraszana = 1,1W; Polaryzacja = unipolarny; Rodzaj opakowania = taśma, rolka; Cena jednostkowa = Nie; Ładunek bramki = 2,7nC; #Akcje #promocyjne = aac_202202; Rodzaj kanału = wzbogacany
