BVSS84LT1G Tranzystor P-MOSFET x1szt
Opis
Producent = ONSEMI; Montaż = SMD; Obudowa = SOT23; Napięcie dren-źródło = -50V; Prąd drenu = -0,13A; Rezystancja w stanie przewodzenia = 10?; Typ tranzystora = P-MOSFET; Moc rozpraszana = 0,225W; Polaryzacja = unipolarny; Rodzaj opakowania = taśma, rolka; Rodzaj kanału = wzbogacany; Napięcie bramka-źródło = ±20V
