FCP11N60 Tranzystor N-MOSFET x1szt
Opis
Producent = ONSEMI; Montaż = THT; Obudowa = TO220AB; Napięcie dren-źródło = 650V; Napięcie bramka-źródło = ±30V; Prąd drenu = 11A; Rezystancja w stanie przewodzenia = 380m?; Typ tranzystora = N-MOSFET; Moc rozpraszana = 125W; Polaryzacja = unipolarny; Rodzaj opakowania = tuba; Ładunek bramki = 52nC; Technologia = SuperFET®; Rodzaj kanału = wzbogacany
