Inna
SI3459BDV-T1-GE3 Tranzystor P-MOSFET (1szt.)
13,35 zł
Dostawa od 7,90 zł
erli.pl Zobacz w sklepie Opis
Producent = VISHAY; Montaż = SMD; Obudowa = TSOP6; Napięcie dren-źródło = -60V; Prąd drenu = -2,9A; Rezystancja w stanie przewodzenia = 288m?; Typ tranzystora = P-MOSFET; Moc rozpraszana = 3,3W; Polaryzacja = unipolarny; Rodzaj opakowania = taśma, rolka; Ładunek bramki = 12nC; Technologia = TrenchFET; Rodzaj kanału = wzbogacany; Napięcie bramka-źródło = ±20V; Prąd drenu w impulsie = -8A