SSM6K504NU,LF(T Tranzystor N-MOSFET x5szt
Opis
Producent = TOSHIBA; Montaż = SMD; Obudowa = uDFN6; Napięcie dren-źródło = 30V; Prąd drenu = 9A; Rezystancja w stanie przewodzenia = 26m?; Typ tranzystora = N-MOSFET; Moc rozpraszana = 1,25W; Polaryzacja = unipolarny; Rodzaj opakowania = taśma, rolka; Właściwości elementów półprzewodnikowych = ESD protected gate; Ładunek bramki = 4,8nC; Rodzaj kanału = wzbogacany; Napięcie bramka-źródło = ±20V; Prąd drenu w impulsie = 18A
