IRF3710PBF Tranzystor N-MOSFET x1szt
Opis
Producent = INFINEON TECHNOLOGIES; Montaż = THT; Obudowa = TO220AB; Typ tranzystora = N-MOSFET; Polaryzacja = unipolarny; Prąd drenu = 57A; Napięcie dren-źródło = 100V; Rezystancja w stanie przewodzenia = 23m?; Rodzaj opakowania = tuba; Ładunek bramki = 86,7nC; Rodzaj kanału = wzbogacany; Napięcie bramka-źródło = ±20V; Technologia = HEXFET®; Moc rozpraszana = 200W
