IRFBC40ASPBF Tranzystor N-MOSFET (1szt.)
Opis
Producent = VISHAY; Montaż = SMD; Obudowa = D2PAK, TO263; Napięcie dren-źródło = 600V; Prąd drenu = 3,9A; Rezystancja w stanie przewodzenia = 1,2?; Typ tranzystora = N-MOSFET; Moc rozpraszana = 125W; Polaryzacja = unipolarny; Rodzaj opakowania = tuba; Ładunek bramki = 42nC; Rodzaj kanału = wzbogacany; Napięcie bramka-źródło = ±30V
