IRF820ASPBF Tranzystor N-MOSFET (1szt.)
Opis
Producent = VISHAY; Montaż = SMD; Obudowa = D2PAK, TO263; Napięcie dren-źródło = 500V; Prąd drenu = 2,5A; Rezystancja w stanie przewodzenia = 3?; Typ tranzystora = N-MOSFET; Moc rozpraszana = 50W; Polaryzacja = unipolarny; Rodzaj opakowania = taśma, rolka; Ładunek bramki = 17nC; Rodzaj kanału = wzbogacany; Napięcie bramka-źródło = ±30V; Prąd drenu w impulsie = 10A
