STP10NK60Z Tranzystor N-MOSFET x1szt
Opis
Producent = STMicroelectronics; Montaż = THT; Typ tranzystora = N-MOSFET; Polaryzacja = unipolarny; Prąd drenu = 5,7A; Napięcie dren-źródło = 600V; Rezystancja w stanie przewodzenia = 750m?; Rodzaj opakowania = tuba; Rodzaj kanału = wzbogacany; Obudowa = TO220-3; Napięcie bramka-źródło = ±30V; Moc rozpraszana = 115W; Technologia = SuperMesh™; Właściwości elementów półprzewodnikowych = ESD protected gate
