2N7002NXBKR Tranzystor N-MOSFET (1szt.)
Opis
Producent = NEXPERIA; Montaż = SMD; Obudowa = SOT23, TO236AB; Napięcie dren-źródło = 60V; Napięcie bramka-źródło = ±20V; Prąd drenu = 0,17A; Rezystancja w stanie przewodzenia = 5,7?; Typ tranzystora = N-MOSFET; Moc rozpraszana = 0,31W; Polaryzacja = unipolarny; Rodzaj opakowania = taśma, rolka; Cena jednostkowa = Nie; Właściwości elementów półprzewodnikowych = ESD protected gate; Ładunek bramki = 1nC; #Akcje #promocyjne = aac_202202; Technologia = Trench; Rodzaj kanału = wzbogacany; Prąd drenu w impulsie = 0,9A
