D120SIC028 Tranzystor N-MOSFET SiC 1,2kV 84A 295A 715W
Opis
Producent = DIOTEC SEMICONDUCTOR; Montaż = THT; Obudowa = TO247-4; Napięcie dren-źródło = 1,2kV; Prąd drenu = 84A; Rezystancja w stanie przewodzenia = 26m?; Typ tranzystora = N-MOSFET; Moc rozpraszana = 715W; Polaryzacja = unipolarny; Rodzaj opakowania = tuba; Właściwości elementów półprzewodnikowych = wyprowadzenie Kelvina; Ładunek bramki = 373nC; Technologia = SiC; Rodzaj kanału = wzbogacany; Napięcie bramka-źródło = -5...20V; Prąd drenu w impulsie = 295A
