FDS8880 Tranzystor N-MOSFET x1szt
Opis
Producent = ONSEMI; Montaż = SMD; Obudowa = SO8; Napięcie dren-źródło = 30V; Prąd drenu = 11,6A; Rezystancja w stanie przewodzenia = 16,3m?; Typ tranzystora = N-MOSFET; Moc rozpraszana = 2,5W; Polaryzacja = unipolarny; Rodzaj opakowania = taśma, rolka; Ładunek bramki = 30nC; Technologia = PowerTrench®; Rodzaj kanału = wzbogacany; Napięcie bramka-źródło = ±20V
