TPS1120D Tranzystor P-MOSFET x2 x1szt
Opis
Producent = TEXAS INSTRUMENTS; Montaż = SMD; Obudowa = SO8; Napięcie dren-źródło = -15V; Napięcie bramka-źródło = ±15V; Prąd drenu = -0,53A; Rezystancja w stanie przewodzenia = 180m?; Typ tranzystora = P-MOSFET x2; Polaryzacja = unipolarny; Rodzaj opakowania = tuba; Cena jednostkowa = Nie; Właściwości elementów półprzewodnikowych = ESD protected gate; Ładunek bramki = 5,45nC; Rodzaj kanału = wzbogacany; Prąd drenu w impulsie = 7A
