STGW20IH125DF Tranzystor IGBT (x1szt)
Opis
Producent = STMicroelectronics; Montaż = THT; Obudowa = TO247-3; Napięcie kolektor-emiter = 1,25kV; Napięcie bramka - emiter = ±20V; Prąd kolektora = 20A; Prąd kolektora w impulsie = 80A; Typ tranzystora = IGBT; Moc rozpraszana = 259W; Rodzaj opakowania = tuba; Właściwości elementów półprzewodnikowych = integrated anti-parallel diode; Ładunek bramki = 69nC
