SI7617DN-T1-GE3 Tranzystor P-MOSFET x1szt
Opis
Producent = VISHAY; Montaż = SMD; Obudowa = PowerPAK® 1212-8; Napięcie dren-źródło = -30V; Prąd drenu = -13,9A; Rezystancja w stanie przewodzenia = 12,3m?; Typ tranzystora = P-MOSFET; Moc rozpraszana = 33W; Polaryzacja = unipolarny; Rodzaj opakowania = taśma, rolka; Ładunek bramki = 59nC; Rodzaj kanału = wzbogacany; Napięcie bramka-źródło = ±25V; Prąd drenu w impulsie = -60A
