NTS4173PT1G Tranzystor P-MOSFET x1szt
Opis
Producent = ONSEMI; Montaż = SMD; Obudowa = SC70, SOT323; Napięcie dren-źródło = -30V; Prąd drenu = -800mA; Rezystancja w stanie przewodzenia = 0,15?; Typ tranzystora = P-MOSFET; Moc rozpraszana = 0,29W; Polaryzacja = unipolarny; Rodzaj opakowania = taśma, rolka; Ładunek bramki = 10,1nC; Rodzaj kanału = wzbogacany; Napięcie bramka-źródło = ±12V; Prąd drenu w impulsie = -5A
