FQA70N10 Tranzystor N-MOSFET
Opis
Producent = ONSEMI; Montaż = THT; Obudowa = TO3PN; Napięcie dren-źródło = 100V; Napięcie bramka-źródło = ±25V; Prąd drenu = 49,5A; Rezystancja w stanie przewodzenia = 23m?; Typ tranzystora = N-MOSFET; Moc rozpraszana = 214W; Polaryzacja = unipolarny; Rodzaj opakowania = tuba; Ładunek bramki = 11nC; Technologia = QFET®; Rodzaj kanału = wzbogacany
