IXTA52P10P Tranzystor P-MOSFET x1szt
Opis
Producent = IXYS; Montaż = SMD; Polaryzacja = unipolarny; Typ tranzystora = P-MOSFET; Rezystancja w stanie przewodzenia = 50m?; Rodzaj opakowania = tuba; Obudowa = TO263; Napięcie dren-źródło = -100V; Ładunek bramki = 60nC; Rodzaj kanału = wzbogacany; Napięcie bramka-źródło = ±20V; Moc rozpraszana = 300W; Prąd drenu = -52A; Czas gotowości = 120ns; Technologia = PolarP™
