DMG4511SK4-13 Tranzystor N/P-MOSFET (1szt.)
Opis
Producent = DIODES INCORPORATED; Montaż = SMD; Obudowa = TO252-4; Struktura półprzewodnika = wspólny dren; Napięcie dren-źródło = 35/-35V; Prąd drenu = 7,8/-8,6A; Rezystancja w stanie przewodzenia = 0,035/0,045?; Typ tranzystora = N/P-MOSFET; Moc rozpraszana = 1,54W; Polaryzacja = unipolarny; Rodzaj opakowania = taśma, rolka; Rodzaj tranzystora = para komplementarna; Rodzaj kanału = wzbogacany; Napięcie bramka-źródło = ±20V
