IXBT2N250 Tranzystor IGBT x1szt
Opis
Producent = IXYS; Montaż = SMD; Prąd kolektora = 2A; Typ tranzystora = IGBT; Rodzaj opakowania = tuba; Moc rozpraszana = 32W; Obudowa = TO268; Napięcie bramka - emiter = ±20V; Ładunek bramki = 10,6nC; Właściwości elementów półprzewodnikowych = wysokonapięciowa; Napięcie kolektor-emiter = 2,5kV; Technologia = BiMOSFET™; Prąd kolektora w impulsie = 13A; Czas załączania = 310ns; Czas wyłączania = 252ns
