FDP18N50 Tranzystor N-MOSFET x1szt
Opis
Producent = ONSEMI; Montaż = THT; Obudowa = TO220AB; Napięcie dren-źródło = 500V; Prąd drenu = 10,8A; Rezystancja w stanie przewodzenia = 265m?; Typ tranzystora = N-MOSFET; Moc rozpraszana = 235W; Polaryzacja = unipolarny; Rodzaj opakowania = tuba; Ładunek bramki = 60nC; Technologia = UniFET™; Rodzaj kanału = wzbogacany; Napięcie bramka-źródło = ±30V
