IXTH20N65X Tranzystor N-MOSFET x1szt
Opis
Producent = IXYS; Montaż = THT; Czas gotowości = 350ns; Typ tranzystora = N-MOSFET; Polaryzacja = unipolarny; Prąd drenu = 20A; Rodzaj opakowania = tuba; Rezystancja w stanie przewodzenia = 210m?; Ładunek bramki = 35nC; Napięcie dren-źródło = 650V; Moc rozpraszana = 320W; Rodzaj kanału = wzbogacany; Obudowa = TO247-3; Właściwości elementów półprzewodnikowych = ultra junction x-class
