IGW75N65H5XKSA1 Tranzystor IGBT x1szt
Opis
Producent = INFINEON TECHNOLOGIES; Montaż = THT; Obudowa = TO247-3; Napięcie kolektor-emiter = 650V; Napięcie bramka - emiter = ±20V; Prąd kolektora = 75A; Prąd kolektora w impulsie = 300A; Czas załączania = 61ns; Czas wyłączania = 215ns; Typ tranzystora = IGBT; Moc rozpraszana = 198W; Rodzaj opakowania = tuba; Ładunek bramki = 160nC; Technologia = TRENCHSTOP™ 5
