DI100N10PQ Tranzystor N-MOSFET x1szt
Opis
Producent = DIOTEC SEMICONDUCTOR; Montaż = SMD; Obudowa = QFN5x6; Napięcie dren-źródło = 100V; Prąd drenu = 95A; Rezystancja w stanie przewodzenia = 5m?; Typ tranzystora = N-MOSFET; Moc rozpraszana = 250W; Polaryzacja = unipolarny; Rodzaj opakowania = taśma, rolka; Ładunek bramki = 64nC; Rodzaj kanału = wzbogacany; Napięcie bramka-źródło = ±20V; Prąd drenu w impulsie = 400A
