Inna
IXFN40N110P Moduł pojedynczy tranzystor 1,1kV 34A SOT227B
390,46 zł
Darmowa dostawa
erli.pl Zobacz w sklepie Opis
Producent = IXYS; Obudowa = SOT227B; Struktura półprzewodnika = pojedynczy tranzystor; Czas gotowości = 300ns; Napięcie dren-źródło = 1,1kV; Prąd drenu = 34A; Rezystancja w stanie przewodzenia = 0,26?; Moc rozpraszana = 890W; Polaryzacja = unipolarny; Montaż elektryczny = przykręcany; Montaż mechaniczny = przykręcany; Ładunek bramki = 310nC; Technologia = HiPerFET™, Polar™; Rodzaj kanału = wzbogacany; Napięcie bramka-źródło = ±40V; Prąd drenu w impulsie = 100A; Typ modułu półprzewodnikowego = tranzystorowy MOSFET