IXGH2N250 Tranzystor IGBT
Opis
Producent = IXYS; Montaż = THT; Prąd kolektora = 2A; Typ tranzystora = IGBT; Rodzaj opakowania = tuba; Obudowa = TO247-3; Ładunek bramki = 10,5nC; Moc rozpraszana = 32W; Napięcie bramka - emiter = ±20V; Czas załączania = 115ns; Właściwości elementów półprzewodnikowych = wysokonapięciowa; Technologia = NPT; Napięcie kolektor-emiter = 2,5kV; Prąd kolektora w impulsie = 13,5A; Czas wyłączania = 278ns
