BAV20 R0G Dioda przełączająca THT 200V 0,2A Ifsm 4A DO35
Opis
Producent = TAIWAN SEMICONDUCTOR; Montaż = THT; Obudowa = DO35; Pojemność = 5pF; Napięcie wsteczne maks. = 200V; Napięcie przewodzenia maks. = 1,25V; Prąd przewodzenia = 0,2A; Struktura półprzewodnika = pojedyncza dioda; Czas gotowości = 50ns; Prąd w impulsie maks. = 4A; Moc rozpraszana = 0,5W; Rodzaj opakowania = taśma, rolka; Cena jednostkowa = Nie; Typ diody = przełączająca
