Inna
SI3460DDV-T1-GE3 Tranzystor N-MOSFET x1szt
12,51 zł
Dostawa od 7,90 zł
erli.pl Zobacz w sklepie Opis
Producent = VISHAY; Montaż = SMD; Obudowa = TSOP6; Napięcie dren-źródło = 20V; Prąd drenu = 7,9A; Rezystancja w stanie przewodzenia = 28m?; Typ tranzystora = N-MOSFET; Moc rozpraszana = 1,7W; Polaryzacja = unipolarny; Rodzaj opakowania = taśma, rolka; Ładunek bramki = 18nC; Technologia = TrenchFET®; Rodzaj kanału = wzbogacany; Napięcie bramka-źródło = ±8V; Prąd drenu w impulsie = 20A