BSH111BKR Tranzystor N-MOSFET (x1szt)
Opis
Producent = NEXPERIA; Montaż = SMD; Obudowa = SOT23, TO236AB; Napięcie dren-źródło = 55V; Napięcie bramka-źródło = ±10V; Prąd drenu = 0,13A; Rezystancja w stanie przewodzenia = 8,1?; Typ tranzystora = N-MOSFET; Moc rozpraszana = 364mW; Polaryzacja = unipolarny; Rodzaj opakowania = taśma, rolka; Cena jednostkowa = Nie; Ładunek bramki = 0,5nC; #Akcje #promocyjne = aac_202202; Rodzaj kanału = wzbogacany
