IXFH60N50P3 Tranzystor N-MOSFET x1szt
Opis
Producent = IXYS; Montaż = THT; Obudowa = TO247-3; Czas gotowości = 250ns; Napięcie dren-źródło = 500V; Napięcie bramka-źródło = ±30V; Prąd drenu = 60A; Rezystancja w stanie przewodzenia = 110m?; Typ tranzystora = N-MOSFET; Moc rozpraszana = 1040W; Polaryzacja = unipolarny; Rodzaj opakowania = tuba; Ładunek bramki = 96nC; Technologia = HiPerFET™, Polar3™; Rodzaj kanału = wzbogacany
