Inna
FGA60N65SMD Tranzystor IGBT x1szt
81,48 zł
Dostawa od 7,90 zł
erli.pl Zobacz w sklepie Opis
Producent = ONSEMI; Montaż = THT; Obudowa = TO3PN; Napięcie kolektor-emiter = 650V; Napięcie bramka - emiter = ±20V; Prąd kolektora = 60A; Prąd kolektora w impulsie = 180A; Typ tranzystora = IGBT; Moc rozpraszana = 300W; Rodzaj opakowania = tuba; Właściwości elementów półprzewodnikowych = integrated anti-parallel diode; Ładunek bramki = 284nC