RQ3E180AJTB Tranzystor N-MOSFET x1szt
Opis
Producent = ROHM SEMICONDUCTOR; Montaż = SMD; Obudowa = HSMT8; Napięcie dren-źródło = 30V; Prąd drenu = 30A; Rezystancja w stanie przewodzenia = 5,8m?; Typ tranzystora = N-MOSFET; Moc rozpraszana = 30W; Polaryzacja = unipolarny; Rodzaj opakowania = taśma, rolka; Ładunek bramki = 39nC; Rodzaj kanału = wzbogacany; Napięcie bramka-źródło = ±12V; Prąd drenu w impulsie = 72A
