STGW40V60DF Tranzystor IGBT x1szt
Opis
Producent = STMicroelectronics; Montaż = THT; Obudowa = TO247-3; Napięcie kolektor-emiter = 600V; Napięcie bramka - emiter = ±20V; Prąd kolektora = 80A; Prąd kolektora w impulsie = 160A; Typ tranzystora = IGBT; Moc rozpraszana = 283W; Rodzaj opakowania = tuba; Właściwości elementów półprzewodnikowych = integrated anti-parallel diode; Ładunek bramki = 226nC
