SI4401DDY-T1-GE3 Tranzystor P-MOSFET x1szt
Opis
Producent = VISHAY; Montaż = SMD; Obudowa = SO8; Napięcie dren-źródło = -40V; Prąd drenu = -16,1A; Rezystancja w stanie przewodzenia = 15m?; Typ tranzystora = P-MOSFET; Moc rozpraszana = 4W; Polaryzacja = unipolarny; Rodzaj opakowania = taśma, rolka; Ładunek bramki = 95nC; Rodzaj kanału = wzbogacany; Napięcie bramka-źródło = ±20V; Prąd drenu w impulsie = -50A
