STGWT60H65DFB Tranzystor IGBT
Opis
Producent = STMicroelectronicsMontaż = THTObudowa = TO3PPrąd kolektora = 60ATyp tranzystora = IGBTRodzaj opakowania = tubaNapięcie kolektor-emiter = 650VNapięcie bramka - emiter = ±20VPrąd kolektora w impulsie = 240AMoc rozpraszana = 375WŁadunek bramki = 306nCWłaściwości elementów półprzewodnikowych = integrated anti-parallel diode
