IRFB3207ZPBF Tranzystor N-MOSFET x1szt
Opis
Producent = INFINEON TECHNOLOGIES; Montaż = THT; Obudowa = TO220AB; Typ tranzystora = N-MOSFET; Polaryzacja = unipolarny; Napięcie dren-źródło = 75V; Prąd drenu = 120A; Rodzaj opakowania = tuba; Ładunek bramki = 120nC; Rezystancja w stanie przewodzenia = 4,1m?; Rodzaj kanału = wzbogacany; Napięcie bramka-źródło = ±20V; Technologia = HEXFET®; Moc rozpraszana = 300W
