TK6A80E,S4X(S Tranzystor N-MOSFET x1szt
Opis
Producent = TOSHIBA; Montaż = THT; Obudowa = TO220FP; Napięcie dren-źródło = 800V; Napięcie bramka-źródło = ±30V; Prąd drenu = 6A; Rezystancja w stanie przewodzenia = 1,35?; Typ tranzystora = N-MOSFET; Moc rozpraszana = 45W; Polaryzacja = unipolarny; Rodzaj opakowania = tuba; Ładunek bramki = 32nC; Rodzaj kanału = wzbogacany; Prąd drenu w impulsie = 18A
