PJT7801_R1_00001 Tranzystor P-MOSFET x2 x1szt
Opis
Producent = PanJit Semiconductor; Montaż = SMD; Obudowa = SOT363; Napięcie dren-źródło = -20V; Prąd drenu = -700mA; Rezystancja w stanie przewodzenia = 0,6?; Typ tranzystora = P-MOSFET x2; Moc rozpraszana = 0,35W; Polaryzacja = unipolarny; Rodzaj opakowania = taśma, rolka; Ładunek bramki = 2,2nC; Rodzaj kanału = wzbogacany; Napięcie bramka-źródło = ±8V; Prąd drenu w impulsie = -2,8A
