STP10NK80Z Tranzystor N-MOSFET x1szt
Opis
Producent = STMicroelectronics; Montaż = THT; Obudowa = TO220-3; Napięcie dren-źródło = 800V; Prąd drenu = 6A; Rezystancja w stanie przewodzenia = 0,9?; Typ tranzystora = N-MOSFET; Moc rozpraszana = 160W; Polaryzacja = unipolarny; Rodzaj opakowania = tuba; Właściwości elementów półprzewodnikowych = ESD protected gate; Technologia = SuperMesh™; Rodzaj kanału = wzbogacany; Napięcie bramka-źródło = ±30V
