IXTP80N10T Tranzystor N-MOSFET x1szt
Opis
Producent = IXYS; Montaż = THT; Obudowa = TO220AB; Czas gotowości = 100ns; Napięcie dren-źródło = 100V; Prąd drenu = 80A; Rezystancja w stanie przewodzenia = 14m?; Typ tranzystora = N-MOSFET; Moc rozpraszana = 230W; Polaryzacja = unipolarny; Rodzaj opakowania = tuba; Właściwości elementów półprzewodnikowych = thrench gate power mosfet; Ładunek bramki = 60nC; Rodzaj kanału = wzbogacany
