IXBH10N170 Tranzystor IGBT x1szt
Opis
Producent = IXYS; Montaż = THT; Obudowa = TO247-3; Napięcie kolektor-emiter = 1,7kV; Napięcie bramka - emiter = ±20V; Prąd kolektora = 10A; Prąd kolektora w impulsie = 40A; Czas załączania = 63ns; Czas wyłączania = 1,8µs; Typ tranzystora = IGBT; Moc rozpraszana = 140W; Rodzaj opakowania = tuba; Właściwości elementów półprzewodnikowych = wysokonapięciowa; Ładunek bramki = 30nC; Technologia = BiMOSFET™
