SI2342DS-T1-GE3 Tranzystor N-MOSFET (1szt.)
Opis
Producent = VISHAY; Montaż = SMD; Obudowa = SOT23; Napięcie dren-źródło = 8V; Prąd drenu = 6A; Rezystancja w stanie przewodzenia = 17m?; Typ tranzystora = N-MOSFET; Moc rozpraszana = 1,6W; Polaryzacja = unipolarny; Rodzaj opakowania = taśma, rolka; Ładunek bramki = 15,8nC; Rodzaj kanału = wzbogacany; Napięcie bramka-źródło = ±5V; Prąd drenu w impulsie = 30A
