PSMN8R5-60YS,115 Tranzystor N-MOSFET x1szt
Opis
Producent = NEXPERIA; Montaż = SMD; Obudowa = SOT669, PowerSO8, LFPAK56; Napięcie dren-źródło = 60V; Prąd drenu = 76A; Rezystancja w stanie przewodzenia = 5,6m?; Typ tranzystora = N-MOSFET; Moc rozpraszana = 106W; Polaryzacja = unipolarny; Rodzaj opakowania = taśma, rolka; Ładunek bramki = 39nC; Rodzaj kanału = wzbogacany; Napięcie bramka-źródło = ±20V; Prąd drenu w impulsie = 303A
