11n120 Hgtg11n120cnd Igbt 43a/1200v To-247 /3558
Opis
Wysokonapięciowy tranzystor IGBT HGTG11N120CND. 43A/1200V/298W. Stosowany w układach gdzie wymagane jest duże napięcie i prąd przełączania, bardzo dobrze nadaje się do obciążeń indukcyjnych (silniki, cewki). Obudowa TO-247. Producent: ON Semiconductor.
Nota katalogowa do pobrania: https://tomsyty.pl/datasheets/h/hgtg11n120cnd.pdf
