STGWA40H65DFB2 Tranzystor IGBT x1szt
Opis
Producent = STMicroelectronics; Montaż = THT; Obudowa = TO247-3; Napięcie kolektor-emiter = 650V; Napięcie bramka - emiter = ±30V; Prąd kolektora = 45A; Prąd kolektora w impulsie = 160A; Typ tranzystora = IGBT; Moc rozpraszana = 230W; Rodzaj opakowania = tuba; Właściwości elementów półprzewodnikowych = integrated anti-parallel diode; Ładunek bramki = 153nC
