IRLR2905TRPBF Tranzystor N-MOSFET x1szt
Opis
Producent = INFINEON TECHNOLOGIES; Montaż = SMD; Obudowa = DPAK; Typ tranzystora = N-MOSFET; Polaryzacja = unipolarny; Napięcie dren-źródło = 55V; Prąd drenu = 30A; Rodzaj opakowania = rolka; Ładunek bramki = 48nC; Rezystancja w stanie przewodzenia = 27m?; Rodzaj kanału = wzbogacany; Napięcie bramka-źródło = ±16V; Technologia = HEXFET®; Moc rozpraszana = 110W; Właściwości elementów półprzewodnikowych = logic level; Prąd drenu w impulsie = 160A
