FDS6675BZ Tranzystor P-MOSFET x1szt
Opis
Producent = ONSEMI; Montaż = SMD; Obudowa = SO8; Napięcie dren-źródło = -30V; Napięcie bramka-źródło = ±25V; Prąd drenu = -11A; Rezystancja w stanie przewodzenia = 21,8m?; Typ tranzystora = P-MOSFET; Moc rozpraszana = 2,5W; Polaryzacja = unipolarny; Rodzaj opakowania = taśma, rolka; Cena jednostkowa = Nie; Ładunek bramki = 35nC; #Akcje #promocyjne = aac_202202; Technologia = PowerTrench®; Rodzaj kanału = wzbogacany
