FDN327N Tranzystor N-MOSFET x1szt
Opis
Producent = ONSEMI; Montaż = SMD; Obudowa = SuperSOT-3; Napięcie dren-źródło = 20V; Prąd drenu = 2A; Rezystancja w stanie przewodzenia = 0,12?; Typ tranzystora = N-MOSFET; Moc rozpraszana = 0,5W; Polaryzacja = unipolarny; Rodzaj opakowania = taśma, rolka; Właściwości elementów półprzewodnikowych = logic level; Ładunek bramki = 6,3nC; Technologia = PowerTrench®; Rodzaj kanału = wzbogacany; Napięcie bramka-źródło = ±8V
