IRF640NPBF Tranzystor N-MOSFET x1szt
Opis
Producent = INFINEON TECHNOLOGIES; Montaż = THT; Obudowa = TO220AB; Napięcie dren-źródło = 200V; Napięcie bramka-źródło = ±20V; Prąd drenu = 18A; Rezystancja w stanie przewodzenia = 0,15?; Typ tranzystora = N-MOSFET; Moc rozpraszana = 150W; Polaryzacja = unipolarny; Rodzaj opakowania = tuba; Ładunek bramki = 44,7nC; Technologia = HEXFET®; Rodzaj kanału = wzbogacany
