Moduł MOSFET DACMI80N1200 1,2kV 50A SOT-227B przykręcany
Opis
Producent = DACO Semiconductor; Temperatura pracy = -55...150°C; Obudowa = SOT227B; Struktura półprzewodnika = pojedynczy tranzystor; Napięcie dren-źródło = 1,2kV; Prąd drenu = 50A; Rezystancja w stanie przewodzenia = 34m?; Moc rozpraszana = 460W; Polaryzacja = unipolarny; Montaż elektryczny = przykręcany; Montaż mechaniczny = przykręcany; Technologia = SiC; Napięcie bramka-źródło = -10...20V; Prąd drenu w impulsie = 250A; Typ modułu półprzewodnikowego = tranzystorowy MOSFET
